近年来，随着人们节能意识的提高，能够承受更高电压、更节能、体积更小的SiC碳化硅功率半导体在交流400V工业设备领域得到越来越广泛的应用。另一方面，除了主电源电路外，还内置辅助电源，为工业设备中的各种控制系统提供电源电压。但由于设计周期的考虑，低耐压的Si-MOSFET和大损耗的IGBT仍被广泛应用，在节能方面存在很大的问题。　　针对这些挑战，内置高压低损耗SiC（碳化硅） MOSFET...

　　为优化开关电源电路的效率和尺寸，碳化硅二极管必须具有较短的反向恢复时间和较短的正存恢复时间、较小的漏电电流和较低的开关损耗。过压和浪涌电流能力十分重要，可用于处理功率因数校正(PFC)中因起动和交流衰减而产生的浪涌和过流等问题，只有使用SiC肖特基二极管才能实现这些特性。　　相对于Si或GaAs的传统功率二极管，sicsbd可明显减少开关损耗，提高开关频率，并使工作电压范围高于Si工艺。...

　　几十年前，半导体硅材料在功率半导体器件领域一直处于领先地位。然而，随着电力领域对小型化、高频化、高温化、高压化和抗辐射性的迫切需求，硅基功率器件已经达到理论极限。第二代半导体材料，例如砷化镓（GaAs）、碳化硅功率器件（SIC）、氮化镓（GAN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、碳化硅（SIC）、碳化硅（GAN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、碳化硅（ZnO）、碳化硅（SIC）...

　　碳化硅在大功率电力电子器件中的应用摘要：功率半导体器件是电力电子技术的关键元件。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件能够承受更高的电压，具有更低的寄生参数（寄生电容、电阻和电感），更小的器件尺寸和更短的响应时间。开关速度的提高不但可以降低系统功率损耗，而且能够允许使用更小的变压器和电容器，大大减小了系统的整体尺寸和质量。而且，碳化硅的耐高温特性大大降低了系统的散热设计，允许使用更小的散...

　　碳化硅具有高载流子饱和速度和高导热系数的特点。应用开关频率可达1MHz，在高频应用中具有明显优势。碳化硅肖特基二极管（sicjbs）的耐压可达6000V以上。　　相应地，硅材料的带隙较低，硅器件的本征载流子浓度在低温下较高，高漏电流会引起热击穿，限制了器件在高温环境和高功耗条件下的工作。　　1.SiC肖特基二极管的结构与特性！　　采用SiC肖特基二极管代替快速PN结的FRD，可以显著降低...

　　功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的附加驱动因素。　　主动PFC有两种通用模式：使用三角形...