650V/900V/1200V/1700V SupSiC™ MOSFET & SBD– 碳化硅(SiC)MOSFET&SBD 采用 TO220-2 TO247-2 TO247-3 TO247-4 TO263-7引脚封装,性能可靠且经济高效
SUPSiC™ MOSFET &SBD 碳化硅 技术通过最大限度地发挥碳化硅外延片强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。
SUPSiC™ MOSFET 超级碳化硅MOSFET采用 TO247-4 引脚封装,可降低源极寄生电感对门极电路的影响,从而加快开关速度,提高效率。
特征描述
低电容,高频开关,高温环境工作
更高电流下经过优化的开关行为
具有低反向恢复电荷的整流稳健快速体二极管
出色的热性能
更高的雪崩耐量
适应多种标准驱动程序
3/4/7 引脚封装
优势
高性能、高可靠性
实现高效率
降低成本和复杂性
减小产品尺寸
具有硬换向事件的拓扑,双向拓扑
可于高温和恶劣环境中运行
潜在应用
服务器饲服电源
电信系统
新能源汽车充电桩
太阳能逆变器系统
储能和电池管理系统
UPS电源
电动汽车逆变系统
汽车电机驱动器