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国晶微半导体

碳化硅 SUPSiC™

650V/900V/1200V/1700V SupSiC™ MOSFET & SBD– 碳化硅（SiC）MOSFET&SBD 采用 TO220-2 TO247-2 TO247-3 TO247-4 TO263-7引脚封装，性能可靠且经济高效

SUPSiC™ MOSFET &SBD 碳化硅‍ 技术通过最大限度地发挥碳化硅外延片强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。

SUPSiC™ MOSFET 超级碳化硅MOSFET采用 TO247-4 引脚封装，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而加快开关速度，提高效率。

特征描述

  • 低电容，高频开关，高温环境工作

  • 更高电流下经过优化的开关行为

  • 具有低反向恢复电荷的整流稳健快速体二极管

  • 出色的热性能

  • 更高的雪崩耐量

  • 适应多种标准驱动程序

  • 3/4/7 引脚封装

优势

  • 高性能、高可靠性

  • 实现高效率

  • 降低成本和复杂性

  • 减小产品尺寸

  • 具有硬换向事件的拓扑，双向拓扑

  • 可于高温和恶劣环境中运行





潜在应用

  • 服务器饲服电源

  • 电信系统

  • 新能源汽车充电桩

  • 太阳能逆变器系统

  • 储能和电池管理系统

  • UPS电源

  • 电动汽车逆变系统

  • 汽车电机驱动器




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产品描述

650V/900V/1200V/1700V SupSiC™ MOSFET & SBD– 碳化硅（SiC）MOSFET&SBD 采用 TO220-2 TO247-2 TO247-3 TO247-4 TO263-7引脚封装，性能可靠且经济高效

SUPSiC™ MOSFET &SBD 碳化硅‍ 技术通过最大限度地发挥碳化硅外延片强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。

SUPSiC™ MOSFET 超级碳化硅MOSFET采用 TO247-4 引脚封装，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而加快开关速度，提高效率。

特征描述

  • 低电容，高频开关，高温环境工作

  • 更高电流下经过优化的开关行为

  • 具有低反向恢复电荷的整流稳健快速体二极管

  • 出色的热性能

  • 更高的雪崩耐量

  • 适应多种标准驱动程序

  • 3/4/7 引脚封装

优势

  • 高性能、高可靠性

  • 实现高效率

  • 降低成本和复杂性

  • 减小产品尺寸

  • 具有硬换向事件的拓扑，双向拓扑

  • 可于高温和恶劣环境中运行





潜在应用

  • 服务器饲服电源

  • 电信系统

  • 新能源汽车充电桩

  • 太阳能逆变器系统

  • 储能和电池管理系统

  • UPS电源

  • 电动汽车逆变系统

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