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国晶微半导体
SiC 碳化硅 MOSFET
当前条件：
SiC 碳化硅 MOSFET
已选择：
型号
：
GSCT30N120 GSCT3060AL GC3M0065090D GC3M0120090D GC3M0280090D GC3M0060065D GC2M0045170D GC2M1000170D GC2M0025120D GC3M0350120D GC3M0040120D GC3M0032120D GC2M0040120D GC2M0080120D GC3M0075120D GC2M0160120D GC3M0160120D GC2M0280120D
 
阻断电压​
：
900 V 650 V 1700 V 1200 V
 
阻抗Ron
：
90mΩ 60mΩ 65 mΩ 120 mΩ 60 mΩ 45 mΩ 1000 mΩ 25 mΩ 350 mΩ 32 mΩ 40 mΩ 80 mΩ 75 mΩ 160 mΩ 280 mΩ
 
额定电流
：
45A 39A 23 A 11.5 A 37 A 72 A 5 A 90 A 7.6 A 66 A 63 A 60 A 36 A 30 A 19 A 17 A 10 A
 
功率Ptot
：
54 W 150 W 520 W 69 W 463 W 50 W 326 W 283 W 330 W 192 W 113.6 W 125 W 97 W 62.5 W
 
名称
上架时间
价格
-
1/2
名称
阻断电压​
阻抗Ron
额定电流
总栅极电荷
输出电容
功率Ptot
封装
操作
GC2M0280120D
1200 V
280 mΩ
10 A
20.4 nC
23 pF
62.5 W
TO-247-3
GSCT3060AL
650 V
60mΩ
39A
TO-247-3
GC3M0065090D
900 V
65 mΩ
36 A
30 nC
66 pF
125 W
TO-247-3
GC2M0080120D
1200 V
80 mΩ
36 A
49 nC
92 pF
192 W
TO-247-3
GC2M0025120D
1200 V
25 mΩ
90 A
161 nC
220 pF
463 W
TO-247-3
GC2M0040120D
1200 V
40 mΩ
60 A
115 nC
150 pF
330 W
TO-247-3
GC2M0045170D
1700 V
45 mΩ
72 A
188 nC
171 pF
520 W
TO-247-3
GC2M0160120D
1200 V
160 mΩ
19 A
32.6 nC
55 pF
125 W
TO-247-3
GC2M1000170D
1700 V
1000 mΩ
5 A
13 nC
12 pF
69 W
TO-247-3
GC3M0032120D
1200 V
32 mΩ
63 A
114 nC
129 pF
283 W
TO-247-3
GC3M0040120D
1200 V
40 mΩ
66 A
101 nC
103 pF
326 W
TO-247-3
GC3M0060065D
650 V
60 mΩ
37 A
46 nC
80 pF
150 W
TO-247-3
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