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国晶微半导体
碳化硅功率器件 SUPSiC™
当前条件：
碳化硅功率器件 SUPSiC™
已选择：
型号
：
GC3D50170H GC5D25170H GC3D25170H GC3D10170H GC3D10170A GC5D05170H GC4D40120D GC6D30130D GC4D30120D GC4D20120D GC4D15120D GC4D10120D GC4D20120A GC4D15120A GC4D16120A GC4D12120A GC4D10120A GC4D08120A GC4D05120A GC3D30065D GC3D20065A GC3D16065A GC3D12065A GC3D10065A GC6D10065A GC3D10060A GC3D08065A GC6D08065A GC3D08060A GC3D06065A GC6D06065A GC3D06060A GC3D04065A GC6D04065A GC3D04060A GC3D03060A GC3D02060A
 
阻断电压
：
1700 V 1200 V 650 V 600 V
 
额定电流
：
50 A 25 A 40 A 16 A 12 A 15 A 5 A 30 A 20 A 10 A 8 A 6 A 4 A 3 A 2 A
 
正向电压 (VF)
：
1.7 V 1.35 V 1.4 V 1.5 V 1.3 V 1.27 V
 
封装
：
TO-247-2 TO-247-3 TO-220-2
 
名称
上架时间
价格
-
1/4
名称
阻断电压
额定电流
正向电压 (VF)
总电容电荷（Qc）
总功率(Ptot)
封装
操作
GC3D02060A
600 V
2 A
1.27 V
23 nC
73 W
TO-220-2
GC3D03060A
600 V
3 A
1.27 V
23 nC
73 W
TO-220-2
GC3D04060A
600 V
4 A
1.27 V
23 nC
73 W
TO-220-2
GC3D04065A
650 V
4 A
1.27 V
23 nC
73 W
TO-220-2
GC3D06060A
600 V
6 A
1.27 V
23 nC
73 W
TO-220-2
GC3D06065A
650 V
6 A
1.27 V
23 nC
73 W
TO-220-2
GC3D08060A
600 V
8 A
1.3 V
20 nC
92.6 W
TO-220-2
GC3D08065A
650 V
8 A
1.3 V
20 nC
107 W
TO-220-2
GC3D10060A
600 V
10 A
1.5 V
25 nC
136 W
TO-220-2
GC3D10065A
650 V
10 A
1.5 V
25 nC
136 W
TO-220-2
GC3D10170A
1700 V
10 A
1.7 V
185 W
TO-220-2
GC3D10170H
1700 V
10 A
1.7 V
231 W
TO-247-2
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