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碳化硅功率器件 SUPSiC™
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继电器光耦 双路混合 1开1闭
MCU 单片机控制器
8位 MCU 单片机
32位 MCU 单片机
SiC 碳化硅 MOSFET
当前条件:
SiC 碳化硅 MOSFET
已选择:
型号
:
GSCT30N120
GSCT3060AL
GC3M0065090D
GC3M0120090D
GC3M0280090D
GC3M0060065D
GC2M0045170D
GC2M1000170D
GC2M0025120D
GC3M0350120D
GC3M0040120D
GC3M0032120D
GC2M0040120D
GC2M0080120D
GC3M0075120D
GC2M0160120D
GC3M0160120D
GC2M0280120D
阻断电压
:
900 V
650 V
1700 V
1200 V
阻抗Ron
:
90mΩ
60mΩ
65 mΩ
120 mΩ
60 mΩ
45 mΩ
1000 mΩ
25 mΩ
350 mΩ
32 mΩ
40 mΩ
80 mΩ
75 mΩ
160 mΩ
280 mΩ
额定电流
:
45A
39A
23 A
11.5 A
37 A
72 A
5 A
90 A
7.6 A
66 A
63 A
60 A
36 A
30 A
19 A
17 A
10 A
功率Ptot
:
54 W
150 W
520 W
69 W
463 W
50 W
326 W
283 W
330 W
192 W
113.6 W
125 W
97 W
62.5 W
名称
上架时间
价格
-
确定
1
/2
名称
阻断电压
阻抗Ron
额定电流
总栅极电荷
输出电容
功率Ptot
封装
操作
GC2M0280120D
1200 V
280 mΩ
10 A
20.4 nC
23 pF
62.5 W
TO-247-3
GSCT3060AL
650 V
60mΩ
39A
TO-247-3
GC3M0065090D
900 V
65 mΩ
36 A
30 nC
66 pF
125 W
TO-247-3
GC2M0080120D
1200 V
80 mΩ
36 A
49 nC
92 pF
192 W
TO-247-3
GC2M0025120D
1200 V
25 mΩ
90 A
161 nC
220 pF
463 W
TO-247-3
GC2M0040120D
1200 V
40 mΩ
60 A
115 nC
150 pF
330 W
TO-247-3
GC2M0045170D
1700 V
45 mΩ
72 A
188 nC
171 pF
520 W
TO-247-3
GC2M0160120D
1200 V
160 mΩ
19 A
32.6 nC
55 pF
125 W
TO-247-3
GC2M1000170D
1700 V
1000 mΩ
5 A
13 nC
12 pF
69 W
TO-247-3
GC3M0032120D
1200 V
32 mΩ
63 A
114 nC
129 pF
283 W
TO-247-3
GC3M0040120D
1200 V
40 mΩ
66 A
101 nC
103 pF
326 W
TO-247-3
GC3M0060065D
650 V
60 mΩ
37 A
46 nC
80 pF
150 W
TO-247-3
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