国晶微半导体

SiC 碳化硅 MOSFET
当前条件:
SiC 碳化硅 MOSFET
已选择:
名称
阻断电压​
阻抗Ron
额定电流
总栅极电荷
输出电容
功率Ptot
封装
操作
1200 V
280 mΩ
10 A
20.4 nC
23 pF
62.5 W
TO-247-3
650 V
60mΩ
39A
TO-247-3
900 V
65 mΩ
36 A
30 nC
66 pF
125 W
TO-247-3
1200 V
80 mΩ
36 A
49 nC
92 pF
192 W
TO-247-3
1200 V
25 mΩ
90 A
161 nC
220 pF
463 W
TO-247-3
1200 V
40 mΩ
60 A
115 nC
150 pF
330 W
TO-247-3
1700 V
45 mΩ
72 A
188 nC
171 pF
520 W
TO-247-3
1200 V
160 mΩ
19 A
32.6 nC
55 pF
125 W
TO-247-3
1700 V
1000 mΩ
5 A
13 nC
12 pF
69 W
TO-247-3
1200 V
32 mΩ
63 A
114 nC
129 pF
283 W
TO-247-3
1200 V
40 mΩ
66 A
101 nC
103 pF
326 W
TO-247-3
650 V
60 mΩ
37 A
46 nC
80 pF
150 W
TO-247-3
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