国晶微半导体

SiC 碳化硅 MOSFET
当前条件:
已选择:
名称
封装
类型
负载电压
负载电流
导通电阻
LED工作电流(Typ)
开启时间 (Typ)
关断时间 (Typ)
可代替型号
操作
DIP4
1b
60 V
500 mA
1 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.25 mS
AQY412E
SMD4
1b
60 V
500 mA
1 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.25 mS
AQY412E
SOP4
1a
200 V
180 mA
5 Ω
0.5 mA
0.4 mS
0.05 mS
AQY217S
SMD4
1a
60 V
500 mA
0.8 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.05 mS
AQY222E
SMD4
1a
200 V
200 mA
5 Ω
0.5 mA
0.4 mS
0.05 mS
AQY217E
DIP4
1a
200 V
200 mA
5 Ω
0.5 mA
0.4 mS
0.05 mS
AQY217E
SMD4
1a
600 V
80 mA
35 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.02 mS
AQY216E
SOP4
1a
600 V
80 mA
35 Ω
0.5 mA
0.3 mS
0.02 mS
AQY216S
DIP4
1a
600 V
80 mA
35 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.02 mS
AQY216E
SOP4
1a
100 V
400 mA
2 Ω
0.5 mA
0.3 mS
0.05 mS
AQY215S
SOP4
1a
80 V
30 mA
20 Ω
0.5 mA
0.03 mS
0.05 mS
AQY215L
DIP4
1a
80 V
80 mA
35 Ω
0.5 mA
0.02 mS
0.05 mS
AQY215L
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