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SiC 碳化硅肖特基二极管
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继电器光耦 1路常开
当前条件:
SiC碳化硅肖特基
SiC碳化硅MOS
光耦继电器
已选择:
封装
:
6-SMD
8-DIP
8-SMD
4-SMD
DIP4
DIP8
DIP6
SMD8
SMD4
SMD6
SOP8
SOP4
类型
:
2b
2a
1a/1b
1b
1a
负载电压
:
350V
60V
400V
80 V
600 V
60 V
400 V
40 V(DC)
40 V
350 V
200 V
20 V(DC)
20 V
100 V
负载电流
:
130mA
400mA
1.8A
350mA
500mA
4500 mA
170 mA
1100 mA
2000 mA
130 mA
120 mA
30 mA
80 mA
800 mA
500 mA
2500 mA
200 mA
1300 mA
100 mA
3500 mA
2500mA
120mA
180 mA
5000 mA
1700 mA
400 mA
1250 mA
名称
上架时间
价格
-
确定
1
/9
名称
封装
类型
负载电压
负载电流
导通电阻
LED工作电流(Typ)
开启时间 (Typ)
关断时间 (Typ)
操作
GAQV210E
DIP6
1a
350 V
170 mA
17 Ω
0.5 mA
0.23 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV210EH
SMD6
1a
350 V
170 mA
17 Ω
0.5 mA
0.23 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV211G4E
DIP6
1a
40 V
4500 mA
0.033 Ω
1 mA
1.5 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV211G4EH
SMD6
1a
40 V
4500 mA
0.033 Ω
1 mA
1.5 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV212E
DIP6
1a
60 V
200 mA
2 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV212EH
SMD6
1a
60 V
200 mA
2 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV212GE
DIP6
1a
60 V
500 mA
1 Ω
0.5 mA
0.5 mS
0.35 mS
PDF附件下载
GAQV214E
DIP6
1a
400 V
130 mA
20 Ω
0.5 mA
0.23 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV214EH
SMD6
1a
400 V
130 mA
20 Ω
0.5 mA
0.23 mS
0.05 mS
PDF附件下载
GAQV215E
DIP6
1a
80 V
120 mA
8 Ω
0.5 mA
0.2 mS
0.07 mS
PDF附件下载
GAQV215EH
SMD6
1a
80 V
120 mA
8 Ω
0.5 mA
0.2 mS
0.07 mS
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GAQV215G2E
DIP6
1a
100 V
2000 mA
0.15 Ω
1 mA
1 mS
0.35 mS
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